DSK5J01X0L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSK5J01X0L
Código: B6P_B6Q_B6R
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 5 V
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-85
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSK5J01X0L
DSK5J01X0L Datasheet (PDF)
dsk5j01x0l.pdf
Doc No. TT4-EA-12789Revision. 2Product StandardsJunction FETsDSK5J010LDSK5J010LSilicon N-channel Junciton FETUnit: mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor2.0DSK2J01 in SMini3 type package0.3 0.13 Features3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12
dsk5j01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK5J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Source
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