DSK5J01X0L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSK5J01X0L
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm
Encapsulados: SC-85
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DSK5J01X0L datasheet
dsk5j01x0l.pdf
Doc No. TT4-EA-12789 Revision. 2 Product Standards Junction FETs DSK5J01 0L DSK5J01 0L Silicon N-channel Junciton FET Unit mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor 2.0 DSK2J01 in SMini3 type package 0.3 0.13 Features 3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12
dsk5j01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSK5J01 Silicon N-channel Junction FET For low frequency amplification For pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Source
Otros transistores... DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , CS150N03A8 , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 .
History: APT56F50B2
History: APT56F50B2
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