DSK5J01X0L Todos los transistores

 

DSK5J01X0L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSK5J01X0L
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 400 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-85
 

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DSK5J01X0L Datasheet (PDF)

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DSK5J01X0L

Doc No. TT4-EA-12789Revision. 2Product StandardsJunction FETsDSK5J010LDSK5J010LSilicon N-channel Junciton FETUnit: mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor2.0DSK2J01 in SMini3 type package0.3 0.13 Features3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12

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DSK5J01X0L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK5J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Source

Otros transistores... DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , IRLB4132 , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 .

History: CSD16407Q5 | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | TPP65R280D | 2N6917 | AP4957AGM

 

 
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