DSK5J01X0L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSK5J01X0L
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 400 Ohm
Тип корпуса: SC-85
Аналог (замена) для DSK5J01X0L
DSK5J01X0L Datasheet (PDF)
dsk5j01x0l.pdf

Doc No. TT4-EA-12789Revision. 2Product StandardsJunction FETsDSK5J010LDSK5J010LSilicon N-channel Junciton FETUnit: mm For low frequency amplificaton / For pyroelctric sensor2.0DSK2J01 in SMini3 type package0.3 0.13 Features3 High gate-drain Voltage(Source open)VGDO Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12
dsk5j01.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK5J01Silicon N-channel Junction FETFor low frequency amplificationFor pyroelectric sensor Features Package High gate-drain voltage (source open) VGDO Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Source
Другие MOSFET... DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , DSK3J02 , DSK5J01 , IRLB4132 , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 , 36N06 , 65N06 .
History: SQ3427EV | SM4146T9RL | BSC093N04LSG | CJP04N60 | HGP042N10AL | SUP90N08-7M7P | BSZ160N10NS3
History: SQ3427EV | SM4146T9RL | BSC093N04LSG | CJP04N60 | HGP042N10AL | SUP90N08-7M7P | BSZ160N10NS3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647