IPD180N10N3 Todos los transistores

 

IPD180N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD180N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IPD180N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd180n10n3.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD180N10N3,IIPD180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)18mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

 0.1. Size:506K  infineon
 ipd180n10n3g.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

IPD180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max TO-263 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 43 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for hig

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History: 50N06FI | 2SK2534

 

 
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