Справочник MOSFET. IPD180N10N3

 

IPD180N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD180N10N3
   Маркировка: 180N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD180N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD180N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd180n10n3.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD180N10N3,IIPD180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)18mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

 0.1. Size:506K  infineon
 ipd180n10n3g.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

IPD180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max TO-263 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 43 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for hig

Другие MOSFET... IPD082N10N3 , IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , IPD110N12N3 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , AON7403 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , IPD530N15N3 .

History: SMG2330N

 

 
Back to Top

 


 
.