IPD180N10N3 - описание и поиск аналогов

 

IPD180N10N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD180N10N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPD180N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD180N10N3 даташит

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd180n10n3.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD180N10N3,IIPD180N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 18m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100

 0.1. Size:506K  infineon
 ipd180n10n3g.pdf pdf_icon

IPD180N10N3

IPD180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max TO-263 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 43 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for hig

Другие MOSFET... IPD082N10N3 , IPD088N06N3 , IPD096N08N3 , IPD110N12N3 , IPD122N10N3 , IPD127N06L , IPD135N08N3 , IPD16CN10N , IRF9640 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , IPD530N15N3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.