SFP9Z14 Todos los transistores

 

SFP9Z14 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP9Z14
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP9Z14 Datasheet (PDF)

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SFP9Z14

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rat

 9.1. Size:505K  samsung
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SFP9Z14

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra

 9.2. Size:507K  samsung
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SFP9Z14

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -18 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rat

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