SFP9Z14 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP9Z14
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFP9Z14
SFP9Z14 Datasheet (PDF)
sfp9z14.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rat
sfp9z24.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
sfp9z34.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -18 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rat
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