SFP9Z14 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP9Z14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP9Z14 datasheet

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SFP9Z14

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -6.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.362 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Rat

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SFP9Z14

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -9.7 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.206 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ra

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SFP9Z14

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -18 A Improved Gate Charge 175oC Opereting Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.106 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Rat

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