IPD320N20N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD320N20N3
Código: 320N20N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD320N20N3
IPD320N20N3 Datasheet (PDF)
ipd320n20n3.pdf
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD320N20N3,IIPD320N20N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200
ipd320n20n3g.pdf
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IPD320N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max 32mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 34 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to
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