IPD530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD530N15N3
Código: 530N15N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 68 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.7 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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IPD530N15N3 Datasheet (PDF)
ipd530n15n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD530N15N3,IIPD530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)53mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150
ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf
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IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
