IPD530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD530N15N3
   Código: 530N15N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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IPD530N15N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:242K inchange semiconductor
ipd530n15n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD530N15N3,IIPD530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)53mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150

0.1. Size:983K infineon
ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf

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IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

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Liste

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