IPD530N15N3 Todos los transistores

 

IPD530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD530N15N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IPD530N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD530N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD530N15N3,IIPD530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)53mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150

 0.1. Size:983K  infineon
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IPD530N15N3

# ! ! # ! ! # ! ! ## ! ! TM #:A0A=:2?E #2=@86? !C661)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:

 0.2. Size:961K  infineon
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IPD530N15N3

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

Otros transistores... IPD180N10N3 , IPD200N15N3 , IPD220N06L3 , IPD25CN10N , IPD320N20N3 , IPD33CN10N , IPD350N06L , IPD400N06N , AO3407 , IPD600N25N3 , IPD60R170CFD7 , IPD60R180C7 , IPD60R180P7S , IPD60R280CFD7 , IPD60R280P7 , IPD60R280P7S , IPD60R360P7 .

History: SFS06R06LGF | NCEP0260 | NP90N055MUK | G16P03S | SWD030R03VLT | IRFS151 | SIF2N60C

 

 
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