IPD60R3K4CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD60R3K4CE
Código: 60S3K4CE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 29 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.6 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 9 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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IPD60R3K4CE Datasheet (PDF)
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IPD60R3K4CE, IPU60R3K4CE, IPS60R3K4CEMOSFETDPAK IPAK IPAK SL600V CoolMOS CE Power TransistortabtabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitivea
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K4CE,IIPD60R3K4CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPD60R3K3C6Data SheetRev. 2.3FinalIndustrial & Multimarket +
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K3C6,IIPD60R3K3C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV
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