IPD60R3K4CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD60R3K4CE
Código: 60S3K4CE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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IPD60R3K4CE Datasheet (PDF)
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Liste
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