Справочник MOSFET. IPD60R3K4CE

 

IPD60R3K4CE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD60R3K4CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 9 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IPD60R3K4CE

 

 

IPD60R3K4CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  infineon
ipd60r3k4ce ipu60r3k4ce ips60r3k4ce.pdf

IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CE

IPD60R3K4CE, IPU60R3K4CE, IPS60R3K4CEMOSFETDPAK IPAK IPAK SL600V CoolMOS CE Power TransistortabtabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitivea

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
ipd60r3k4ce.pdf

IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K4CE,IIPD60R3K4CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV

 6.1. Size:958K  infineon
ipd60r3k3c6.pdf

IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPD60R3K3C6Data SheetRev. 2.3FinalIndustrial & Multimarket +

 6.2. Size:1347K  infineon
ipd60r3k3c6 2.0.pdf

IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CE

MOSFET+

 6.3. Size:242K  inchange semiconductor
ipd60r3k3c6.pdf

IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K3C6,IIPD60R3K3C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 15NM70G-TN3-R

 

 
Back to Top