Справочник MOSFET. IPD60R3K4CE

 

IPD60R3K4CE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD60R3K4CE
   Маркировка: 60S3K4CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IPD60R3K4CE

 

 

IPD60R3K4CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  infineon
 ipd60r3k4ce ipu60r3k4ce ips60r3k4ce.pdf

IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE

IPD60R3K4CE, IPU60R3K4CE, IPS60R3K4CEMOSFETDPAK IPAK IPAK SL600V CoolMOS CE Power TransistortabtabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitivea

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd60r3k4ce.pdf

IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K4CE,IIPD60R3K4CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV

 6.1. Size:958K  infineon
 ipd60r3k3c6.pdf

IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPD60R3K3C6Data SheetRev. 2.3FinalIndustrial & Multimarket +

 6.2. Size:1347K  infineon
 ipd60r3k3c6 2.0.pdf

IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE

MOSFET+

 6.3. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd60r3k3c6.pdf

IPD60R3K4CE IPD60R3K4CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R3K3C6,IIPD60R3K3C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top