IPD640N06L Todos los transistores

 

IPD640N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD640N06L
   Código: 640N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 47 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 10 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 94 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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IPD640N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:993K  infineon
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IPD640N06L IPD640N06L

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 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
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IPD640N06L IPD640N06L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD640N06L,IIPD640N06LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)64mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga

 0.1. Size:769K  cn vbsemi
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IPD640N06L IPD640N06L

IPD640N06LGwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

 9.1. Size:781K  1
ipd64cn10ng ipu64cn10ng.pdf

IPD640N06L IPD640N06L

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Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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