IPP023N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP023N04N
Código: 023N04N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP023N04N
IPP023N04N Datasheet (PDF)
ipp023n04n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP023N04N,IIPP023N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor ORing and Uninterruptible Power SupplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET
ipb023n04n ipp023n04ng ipb023n04ng.pdf
pe IPP023N04N GIPB023N04N G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 4 D Q &( , - 7@B ( + :?8 2?5 . ?:?D6BBEAD:3=6 )@G6B ,EAA=I R m , @? >2H 1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CI DQ ' 492??6=Q '@B>2= =6F6=Q . =DB2 =@G @? B6C:CD2?46 RD n)Q F2=2?496 D6CD65Q )3 7B66 A=2D:?8 + @", 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type #) ' '
ipp023n04n-g ipb023n04n-g.pdf
Type IPP023N04N GIPB023N04N GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply R 2.3mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel Normal level Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Hal
ipp023n08n5.pdf
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Liste
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