Справочник MOSFET. IPP023N04N

 

IPP023N04N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPP023N04N
   Маркировка: 023N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IPP023N04N

 

 

IPP023N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp023n04n.pdf

IPP023N04N IPP023N04N

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP023N04N,IIPP023N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor ORing and Uninterruptible Power SupplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

 0.1. Size:583K  infineon
 ipb023n04n ipp023n04ng ipb023n04ng.pdf

IPP023N04N IPP023N04N

pe IPP023N04N GIPB023N04N G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 4 D Q &( , - 7@B ( + :?8 2?5 . ?:?D6BBEAD:3=6 )@G6B ,EAA=I R m , @? >2H 1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CI DQ ' 492??6=Q '@B>2= =6F6=Q . =DB2 =@G @? B6C:CD2?46 RD n)Q F2=2?496 D6CD65Q )3 7B66 A=2D:?8 + @", 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type #) ' '

 0.2. Size:245K  infineon
 ipp023n04n-g ipb023n04n-g.pdf

IPP023N04N IPP023N04N

Type IPP023N04N GIPB023N04N GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply R 2.3mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 90 AD N-channel Normal level Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Hal

 6.1. Size:1808K  infineon
 ipp023n08n5.pdf

IPP023N04N IPP023N04N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPP023N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPP023N08N5TO-220-31 DescriptiontabFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top