SFR9014 Todos los transistores

 

SFR9014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFR9014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SFR9014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  fairchild semi
 sfu9014 sfr9014.pdf pdf_icon

SFR9014

SFR/U9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 ..2. Size:495K  samsung
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SFR9014

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -5.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 0.1. Size:226K  fairchild semi
 sfr9014tf.pdf pdf_icon

SFR9014

SFR/U9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 9.1. Size:238K  fairchild semi
 sfu9034 sfr9034.pdf pdf_icon

SFR9014

SFR/U9034Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.106 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsol

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