SFR9014 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFR9014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFR9014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9014 даташит

 ..1. Size:229K  fairchild semi
sfu9014 sfr9014.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9014 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -5.3 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Lower RDS(ON) 0.362 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Max

 ..2. Size:495K  samsung
sfr9014.pdfpdf_icon

SFR9014

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -5.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) 0.362 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 0.1. Size:226K  fairchild semi
sfr9014tf.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9014 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -5.3 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Lower RDS(ON) 0.362 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Max

 9.1. Size:238K  fairchild semi
sfu9034 sfr9034.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9034 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) 0.106 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absol

Другие IGBT... SFP9630, SFP9634, SFP9640, SFP9644, SFP9Z14, SFP9Z24, SFP9Z34, SFR2955, IRFZ48N, SFR9024, SFR9034, SFR9110, SFR9120, SFR9130, SFR9210, SFR9214, SFR9220