Справочник MOSFET. SFR9014

 

SFR9014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFR9014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  fairchild semi
sfu9014 sfr9014.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 ..2. Size:495K  samsung
sfr9014.pdfpdf_icon

SFR9014

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -5.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 0.1. Size:226K  fairchild semi
sfr9014tf.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 9.1. Size:238K  fairchild semi
sfu9034 sfr9034.pdfpdf_icon

SFR9014

SFR/U9034Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.106 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsol

Другие MOSFET... SFP9630 , SFP9634 , SFP9640 , SFP9644 , SFP9Z14 , SFP9Z24 , SFP9Z34 , SFR2955 , RU6888R , SFR9024 , SFR9034 , SFR9110 , SFR9120 , SFR9130 , SFR9210 , SFR9214 , SFR9220 .

History: AP08N60I-HF | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | SMG2340N | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.