IPP16CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPP16CN10N
   Código: 16CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP16CN10N

IPP16CN10N Datasheet (PDF)

..1. Size:661K infineon
ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf

www.DataSheet4U.comIPB16CN10N G IPD16CN10N GIPI16CN10N G IPP16CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 16mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 53 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified

..2. Size:245K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPP16CN10NIIPP16CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

0.1. Size:906K infineon
ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf

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5.1. Size:545K infineon
ipp16cn10l1.pdf

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Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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