IPP16CN10N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP16CN10N
Маркировка: 16CN10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP16CN10N
IPP16CN10N Datasheet (PDF)
ipb16cn10n ipd16cn10n ipi16cn10n ipp16cn10n.pdf
www.DataSheet4U.comIPB16CN10N G IPD16CN10N GIPI16CN10N G IPP16CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 16mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 53 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified
ipp16cn10n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP16CN10NIIPP16CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
ipb16cn10ng ipd16cn10ng ipi16cn10ng ipp16cn10ng.pdf
$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D 1 Features D 1 m S ) 5:3@@7> @AD?3> >7H7> . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F "* ( DD n)S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S %673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE D7
ipp16cn10l1.pdf
%% # ! % (>.;?6?@%>EFeatures 1 D S ) 5:3@@7> >A9;5 >7H7> 1 7 m . A@ ?3J S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 4 DS 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S $673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE D75F;8;53F;A@Type
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918