IPP530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP530N15N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de IPP530N15N3 MOSFET
IPP530N15N3 Datasheet (PDF)
ipp530n15n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP530N15N3IIPP530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 53mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf

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IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to
Otros transistores... IPP111N15N3 , IPP114N12N3 , IPP12CN10L , IPP147N12N3 , IPP16CN10N , IPP200N15N3 , IPP200N25N3 , IPP320N20N3 , TK10A60D , IPP600N25N3 , IPP60R060C7 , IPP60R080P7 , IPP60R099P7 , IPP60R120C7 , IPP60R170CFD7 , IPP60R180P7 , IPP60R280CFD7 .
History: JMSH0803MC
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