IPP530N15N3 Todos los transistores

 

IPP530N15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP530N15N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO-220

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IPP530N15N3 datasheet

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
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IPP530N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP530N15N3 IIPP530N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 53m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:983K  infineon
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IPP530N15N3

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 0.2. Size:961K  infineon
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IPP530N15N3

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 21 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

Otros transistores... IPP111N15N3 , IPP114N12N3 , IPP12CN10L , IPP147N12N3 , IPP16CN10N , IPP200N15N3 , IPP200N25N3 , IPP320N20N3 , 13N50 , IPP600N25N3 , IPP60R060C7 , IPP60R080P7 , IPP60R099P7 , IPP60R120C7 , IPP60R170CFD7 , IPP60R180P7 , IPP60R280CFD7 .

History: SWD7N65K2 | WMQ30DP03TS | RUE002N02 | STW30NF20 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

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