IRFL3713 Todos los transistores

 

IRFL3713 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFL3713
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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IRFL3713 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  inchange semiconductor
 irfl3713.pdf pdf_icon

IRFL3713

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

 0.1. Size:255K  inchange semiconductor
 irfl3713s.pdf pdf_icon

IRFL3713

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

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History: H12N65F

 

 
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