IRFL3713 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFL3713
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IRFL3713
IRFL3713 Datasheet (PDF)
irfl3713.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS
irfl3713s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
Другие MOSFET... IRF250P224 , IRF3256 , IRFB3407Z , IRFB4137 , IRFB4228 , IRFB4510 , IRFI4510G , IRLML2502TRPBF , 10N65 , IRFP4137 , IRFP7530 , IRFR420TR , IRFR4510 , IRFR7440 , IRFR7446 , IRFR7540 , IRFR7546 .
History: S10H08RN | AON6264C | WMJ53N60F2 | STL58N3LLH5 | 2SK427 | 2SK880GR | 2SK3018S3
History: S10H08RN | AON6264C | WMJ53N60F2 | STL58N3LLH5 | 2SK427 | 2SK880GR | 2SK3018S3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor