IRFS3307ZTRL Todos los transistores

 

IRFS3307ZTRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS3307ZTRL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 120 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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IRFS3307ZTRL Datasheet (PDF)

1.1. irfs3307zpbf.pdf Size:316K _upd

IRFS3307ZTRL
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PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET® Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m Ω max. 5.8m Ω G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

1.2. irfs3307ztrl.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3307ZTRL DESCRIPTION ·Drain Current I =120A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 75V(Min) DSS ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power switching application ·Hard switched and high frequency circuits ·Uninterruptible power supply ABSOLUTE MAXIMUM R

 2.1. irfs3307pbf.pdf Size:314K _upd

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PD - 95706D IRFB3307PbF IRFS3307PbF IRFSL3307PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 75V l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 5.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 6.3m ID 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterize

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