IRFS3307ZTRL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFS3307ZTRL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFS3307ZTRL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3307ZTRL даташит

 ..1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 irfs3307ztrl.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3307ZTRL DESCRIPTION Drain Current I =120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 75V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible power supply ABSOLUTE MAXIMUM R

 5.1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 5.2. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR7446, IRFR7540, IRFR7546, IRFR7740, IRFR7746, IRFR812, IRFR825TR, IRFR8314, 60N06, IRFS7534TRLPBF, ISTP16NF06, MDF18N50, MDP1723, MDP1922, P50NF06, SCT3060AL, SPA11N60C3E8185