Справочник MOSFET. IRFS3307ZTRL

 

IRFS3307ZTRL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS3307ZTRL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFS3307ZTRL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3307ZTRL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 irfs3307ztrl.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3307ZTRLDESCRIPTIONDrain Current I =120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 75V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching applicationHard switched and high frequency circuitsUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM R

 5.1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

 5.2. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

IRFS3307ZTRL

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR7446 , IRFR7540 , IRFR7546 , IRFR7740 , IRFR7746 , IRFR812 , IRFR825TR , IRFR8314 , RU6888R , IRFS7534TRLPBF , ISTP16NF06 , MDF18N50 , MDP1723 , MDP1922 , P50NF06 , SCT3060AL , SPA11N60C3E8185 .

 

 
Back to Top

 


 
.