2N4447 Todos los transistores

 

2N4447 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4447
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-46
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N4447 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N4447 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4447

 9.1. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4447

 9.2. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4447

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.3. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4447

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N4416AC1B , 2N4416AC1C , 2N4416AC1D , 2N4416ACSM , 2N4416CSM , 2N4416DCSM , 2N4445 , 2N4446 , 10N60 , 2N4448 , 2N5114E3 , 2N5114UB , 2N5114UBE3 , 2N5115E3 , 2N5115UB , 2N5115UBE3 , 2N5116E3 .

History: PJA3460 | FSW25N50A | WML36N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.