2N4447. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4447

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO-46

Аналог (замена) для 2N4447

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N4447 даташит

 ..1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4447

 9.1. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4447

 9.2. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4447

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.3. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4447

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N4416AC1B, 2N4416AC1C, 2N4416AC1D, 2N4416ACSM, 2N4416CSM, 2N4416DCSM, 2N4445, 2N4446, IRFP260N, 2N4448, 2N5114E3, 2N5114UB, 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3