2N6849U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6849U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 34.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 140 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6849U

2N6849U Datasheet (PDF)

0.1. 2n6849u.pdf Size:147K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 DEVICES LEVELS JAN 2N6849 2N6849UJANTX JANTXV JANS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source

8.1. 2n6849 irff9130.pdf Size:133K _international_rectifier

PD - 90550DIRFF9130 JANTX2N6849REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849HEXFETTRANSISTORS JANS2N6849THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry an

8.2. 2n6849hp.pdf Size:120K _semelab

P-CHANNEL POWER MOSFET 2N6849HP MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-205AD Package Single Pulse Avalanche Energy Rated Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VDG RGS = 20K Drain Gat

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Liste

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