2N6849U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6849U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-205AF

Аналог (замена) для 2N6849U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6849U даташит

 ..1. Size:147K  microsemi
 2n6849u.pdf pdf_icon

2N6849U

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 DEVICES LEVELS JAN 2N6849 2N6849U JANTX JANTXV JANS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source

 8.1. Size:133K  international rectifier
 2n6849 irff9130.pdf pdf_icon

2N6849U

PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an

 8.2. Size:120K  semelab
 2n6849hp.pdf pdf_icon

2N6849U

P-CHANNEL POWER MOSFET 2N6849HP MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-205AD Package Single Pulse Avalanche Energy Rated Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VDG RGS = 20K Drain Gat

 9.1. Size:130K  international rectifier
 2n6845 irff9120.pdf pdf_icon

2N6849U

PD - 90552C IRFF9120 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6845 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/563 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9120 -100V 0.60 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proce

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, 2N5163, 2N6849HP, IRF9540, 2N6896, 2N6898, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG, 2N7000RLRPG