2N7092 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7092
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7092
2N7092 Datasheet (PDF)
9.2. Size:34K semelab
2n7091.pdf
2n7091.pdf
2N7091MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)PCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS -100V1 2 3ID(A) -14ARDS(on) 0.200.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILITY APP
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