2N7092. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N7092

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-257AB

Аналог (замена) для 2N7092

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7092 даташит

 ..1. Size:242K  siliconix
 2n7092.pdf pdf_icon

2N7092

 9.1. Size:207K  rca
 2n709.pdf pdf_icon

2N7092

 9.2. Size:34K  semelab
 2n7091.pdf pdf_icon

2N7092

2N7091 MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) P CHANNEL ENHANCEMENT MODE 4.83 (0.190) 5.08 (0.200) 10.41 (0.410) 10.67 (0.420) 0.89 (0.035) TRANSISTOR 1.14 (0.045) 3.56 (0.140) Dia. 3.81 (0.150) V(BR)DSS -100V 1 2 3 ID(A) -14A RDS(on) 0.20 0.64 (0.025) Dia. 0.89 (0.035) 2.54 (0.100) 3.05 (0.120) BSC BSC FEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APP

 9.3. Size:213K  temic
 2n7090.pdf pdf_icon

2N7092

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N7002TGP, 2N7002VGP, 2N7002WSK, 2N7002W-TP, 2N7002X, 2N7081-220M-ISO, 2N7089, 2N7090, IRF2807, 2N7218U, 2N7219U, 2N7221U, 2N7222, 2N7222U, 2N7224U, 2N7225U, 2N7227U