2N7236U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7236U  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 300 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SMD-1

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2N7236U datasheet

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2N7236U

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/595 DEVICES LEVELS 2N7236 2N7236U JAN JANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltage VD

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2N7236U

IRFN9140 2N7236U MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 18A RDS(on) 0.20 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE SIMPLE DRIVE REQUIREM

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2N7236U

PD - 90497F IRFM9240 JANTX2N7237 JANTXV2N7237 JANS2N7237 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/595 THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, P-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM9240 0.51 -11A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on

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