2N7236U Todos los transistores

 

2N7236U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7236U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 300 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-1
 

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2N7236U Datasheet (PDF)

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2N7236U

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/595 DEVICES LEVELS 2N7236 2N7236U JANJANTXJANTXVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltage VD

 ..2. Size:21K  semelab
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2N7236U

IRFN91402N7236UMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 18A RDS(on) 0.20FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE SIMPLE DRIVE REQUIREM

 9.1. Size:192K  1
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2N7236U

PD - 90497FIRFM9240JANTX2N7237JANTXV2N7237JANS2N7237POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/595THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, P-CHANNELProduct Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) IDIRFM9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on

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History: AP4578GH-HF | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | IPP60R099C7 | AP6N1R7CDT

 

 
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