2N7236U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7236U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 300 °C
trⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SMD-1
2N7236U Datasheet (PDF)
2n7236 2n7236u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/595 DEVICES LEVELS 2N7236 2N7236U JANJANTXJANTXVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltage VD
2n7236u.pdf
IRFN91402N7236UMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 18A RDS(on) 0.20FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE SIMPLE DRIVE REQUIREM
2n7237.pdf
PD - 90497FIRFM9240JANTX2N7237JANTXV2N7237JANS2N7237POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/595THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, P-CHANNELProduct Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) IDIRFM9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918