2N7281 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7281
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-205AF
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2N7281 Datasheet (PDF)
1.1. 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf 
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INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES
5.1. 2n7288d-r-h.pdf Size:46K _harris_semi
2N7288D, 2N7288R S E M I C O N D U C T O R 2N7288H REGISTRATION PENDING Radiation Hardened Available as FRS244 (D, R, H) N-Channel Power MOSFETs November 1994 Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415? TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000K
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