2N7281 Todos los transistores

 

2N7281 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7281
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-205AF
 

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2N7281 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7281

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

 9.1. Size:46K  harris semi
 2n7288d-r-h.pdf pdf_icon

2N7281

2N7288D, 2N7288RS E M I C O N D U C T O R2N7288HREGISTRATION PENDINGRadiation HardenedAvailable as FRS244 (D, R, H)N-Channel Power MOSFETsNovember 1994Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si

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History: IRF7307Q | P1203EVG | IRFH4253DPBF | NCEP065N12AGU | R6520ENZ | JCS10N65FT

 

 
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