2N7281 Todos los transistores

 

2N7281 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7281
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-205AF
 

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2N7281 datasheet

 ..1. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7281

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

 9.1. Size:46K  harris semi
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2N7281

2N7288D, 2N7288R S E M I C O N D U C T O R 2N7288H REGISTRATION PENDING Radiation Hardened Available as FRS244 (D, R, H) N-Channel Power MOSFETs November 1994 Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si

Otros transistores... 2N7262U , 2N7268 , 2N7268U , 2N7269 , 2N7269U , 2N7272 , 2N7275 , 2N7278 , MMIS60R580P , 2N7291 , 2N7293 , 2N7295 , 2N7297 , 2N7334 , 2N7335 , 2N7335E3 , 2N7380 .

 

 

 


 
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