2N7281 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7281  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-205AF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7281

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7281 даташит

 ..1. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7281

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604B be completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/604A 21 June 1999 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

 9.1. Size:46K  harris semi
 2n7288d-r-h.pdf pdf_icon

2N7281

2N7288D, 2N7288R S E M I C O N D U C T O R 2N7288H REGISTRATION PENDING Radiation Hardened Available as FRS244 (D, R, H) N-Channel Power MOSFETs November 1994 Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si

Другие IGBT... 2N7262U, 2N7268, 2N7268U, 2N7269, 2N7269U, 2N7272, 2N7275, 2N7278, MMIS60R580P, 2N7291, 2N7293, 2N7295, 2N7297, 2N7334, 2N7335, 2N7335E3, 2N7380