2N7380 Todos los transistores

 

2N7380 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7380
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA

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2N7380 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  microsemi
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2N7380
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7380 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si))JANSR (100K RAD(Si))JANSF (300K RAD(Si))ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Pa

 9.1. Size:149K  microsemi
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2N7380
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Reference MIL-PRF-19500/614 DEVICES LEVELS 2N7381 JANSM (3K RAD(Si)) JANSD (10K RAD(Si))JANSR (100K RAD(Si))JANSF (300K RAD(Si))ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Pa

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