BSC079N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC079N03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC079N03S

BSC079N03S Datasheet (PDF)

..1. Size:342K infineon
bsc079n03s.pdf

BSC079N03S GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resi

0.1. Size:380K infineon
bsc079n03sg.pdf

BSC079N03S GProduct SummaryOptiMOS2 Power-TransistorFeatures V 30 VDSR 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS mDS(on),maxI 40 A Optimized technology for notebook DC/DC convertersD Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

5.1. Size:384K infineon
bsc079n03lscg.pdf

BSC079N03LSC GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Improved switching behaviourPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

7.1. Size:661K infineon
bsc079n10ns5 bsc079n10nsg.pdf