SVS5N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS5N70D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS5N70D
SVS5N70D Datasheet (PDF)
svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf
SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A700VMOS 2SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 11 233SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)
svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf
SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2
svs5n70.pdf
SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.
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History: FHF10N65B | BL23N50-A
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Liste
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