SVS5N70D - описание и поиск аналогов

 

SVS5N70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVS5N70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SVS5N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS5N70D даташит

 0.1. Size:465K  silan
svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdfpdf_icon

SVS5N70D

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A 700V MOS 2 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 1 1 2 3 3 SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

 7.1. Size:481K  silan
svs5n70.pdfpdf_icon

SVS5N70D

SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan s DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

Другие MOSFET... 2N7405 , BSC079N03S , FHF5N60 , MDD1654 , NDP05N50Z , NDS356P , P6503NJ , RU6888R , IRFB4110 , SVS5N70MJ , SVS5N70MN , SVS5N70F , SVS5N70MU , WFP85N06 , 2N5653 , 2N5654 , 2N60A .

History: STP605D | NDP06N60Z | STD8N60DM2 | STD17NF03LT4 | 2SK4081 | NDF02N60ZG | SM1A42CSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.