SVS5N70MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVS5N70MJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251J

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS5N70MJ

SVS5N70MJ Datasheet (PDF)

..1. Size:465K silan
svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A700VMOS 2SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 11 233SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

0.1. Size:414K silan
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SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2

7.1. Size:481K silan
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SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

9.1. Size:453K silan
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