2N6798U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N6798U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42.07 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6798U

2N6798U Datasheet (PDF)

..1. Size:175K microsemi
2n6798u.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 DEVICES LEVELS JAN 2N6798 2N6798UJANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltag

8.1. Size:131K international rectifier
2n6798 irff230.pdf

PD -90431CIRFF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6798HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6798THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF230 200V 0.40 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

8.2. Size:66K omnirel
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf

2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N68002N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/557DESCRIPTIO

8.3. Size:21K semelab
2n6798.pdf