SFS9Z24 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFS9Z24

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SFS9Z24 datasheet

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SFS9Z24

SFS9Z24 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -7.5 A n Improved Gate Charge n 175oC Operating Temperature TO-220F n Extended Safe Operating Area n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Low RDS(ON) 0.206 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

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SFS9Z24

SFS9Z14 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -5.3 A n Improved Gate Charge n 175oC Operating Temperature TO-220F n Extended Safe Operating Area n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Low RDS(ON) 0.362 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source

 9.2. Size:504K  samsung
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SFS9Z24

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -12 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.106 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Rati

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