SFS9Z24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFS9Z24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 29 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFS9Z24
SFS9Z24 Datasheet (PDF)
sfs9z24.pdf
SFS9Z24Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -7.5 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.206 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc
sfs9z14.pdf
SFS9Z14Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -5.3 An Improved Gate Chargen 175oC Operating TemperatureTO-220Fn Extended Safe Operating Arean Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Low RDS(ON) : 0.362 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source
sfs9z34.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -12 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.106 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati
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