19MT050XFAPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 19MT050XFAPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: MTP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 19MT050XFAPBF

19MT050XFAPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:210K vishay
19mt050xfapbf.pdf

19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive

5.1. Size:188K international rectifier
19mt050xf.pdf