19MT050XFAPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 19MT050XFAPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1140 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 6 V
   Carga de la puerta (Qg): 105 nC
   Tiempo de subida (tr): 165 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1165 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: MTP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 19MT050XFAPBF

19MT050XFAPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:210K vishay
19mt050xfapbf.pdf

19MT050XFAPbFVishay Semiconductors"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 AFEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fastrecovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltageand current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996MTP Compliant to RoHS directive

5.1. Size:188K international rectifier
19mt050xf.pdf