19MT050XFAPBF Todos los transistores

 

19MT050XFAPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 19MT050XFAPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: MTP

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19MT050XFAPBF datasheet

 ..1. Size:210K  vishay
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19MT050XFAPBF

19MT050XFAPbF Vishay Semiconductors "Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A FEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fast recovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996 MTP Compliant to RoHS directive

 5.1. Size:188K  international rectifier
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19MT050XFAPBF

19MT050XF HEXFET Power MOSFET "FULL-BRIDGE" FREDFET MTP Features 31 A VDSS = 500V Benefits

 6.1. Size:210K  vishay
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19MT050XFAPBF

19MT050XFAPbF Vishay Semiconductors "Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A FEATURES Low on-resistance High performance optimized built-in fast recovery diodes Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation UL approved file E78996 MTP Compliant to RoHS directive

Otros transistores... 12N60A , 12N60AF , 13N110A , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , STP65NF06 , 1HN04CH , 1HP04CH , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A .

History: WM02P160R | LSC60R650HT

 

 

 

 

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