2MI50S-050 Todos los transistores

2MI50S-050 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2MI50S-050

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: MODULE

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros