2MI50S-050 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MI50S-050
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 2MI50S-050 MOSFET
2MI50S-050 Datasheet (PDF)
2mi50s-050.pdf

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History: NDP7052 | STF5N80K5 | C2M090W070 | SI3853DV | SSP65R065SFD3 | FQAF11N90 | SIA445EDJT
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