BFD82 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BFD82
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BFD82

BFD82 Datasheet (PDF)

..1. Size:18K semelab
bfd82.pdf

BFD82SEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO3 (TO204AA) Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 14.5A3(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)RDS(on) 0.407.92 (0.312)12.70 (0.50)Pin 1 G

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDA69N25 | FQB3P50TM

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: