BFD82 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFD82
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO-204AA
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BFD82 datasheet
bfd82.pdf
BFD82 SEME LAB 4TH GENERATION MOSFET TO 3 (TO 204AA) Package Outline. Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS VDSS 500V 1 2 ID(cont) 14.5A 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) RDS(on) 0.40 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) Pin 1 G
Otros transistores... 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , IRFZ44N , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 , BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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