BFD82 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFD82
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AA
Búsqueda de reemplazo de BFD82 MOSFET
BFD82 Datasheet (PDF)
bfd82.pdf

BFD82SEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO3 (TO204AA) Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 14.5A3(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)RDS(on) 0.407.92 (0.312)12.70 (0.50)Pin 1 G
Otros transistores... 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , IRFZ44N , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 , BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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