Справочник MOSFET. BFD82

 

BFD82 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BFD82
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BFD82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  semelab
 bfd82.pdf pdf_icon

BFD82

BFD82SEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO3 (TO204AA) Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 14.5A3(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)RDS(on) 0.407.92 (0.312)12.70 (0.50)Pin 1 G

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSG02P06 | 3N191 | RSS110N03TB | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.