BFD82 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BFD82
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-204AA
Аналог (замена) для BFD82
BFD82 Datasheet (PDF)
bfd82.pdf

BFD82SEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO3 (TO204AA) Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 14.5A3(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)RDS(on) 0.407.92 (0.312)12.70 (0.50)Pin 1 G
Другие MOSFET... 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , IRFZ44N , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 , BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A .
History: IXTP96P085T
History: IXTP96P085T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor