Справочник MOSFET. BFD82

 

BFD82 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BFD82
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA

 Аналог (замена) для BFD82

 

 

BFD82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  semelab
 bfd82.pdf

BFD82 BFD82

BFD82SEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO3 (TO204AA) Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 14.5A3(case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)RDS(on) 0.407.92 (0.312)12.70 (0.50)Pin 1 G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top