BLM4953A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLM4953A
   Código: 4953A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM4953A

BLM4953A Datasheet (PDF)

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blm4953a.pdf

Pb Free Product BLM4953A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1D2The BLM4953A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G1 G2voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS

7.1. Size:939K belling
blm4953.pdf

Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D 1 D 2 The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G 1 G 2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID

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History: ME2320D2-G

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