BLM4953A Todos los transistores

 

BLM4953A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM4953A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de BLM4953A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLM4953A datasheet

 ..1. Size:273K  belling
blm4953a.pdf pdf_icon

BLM4953A

Pb Free Product BLM4953A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1 D2 The BLM4953A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) G1 G2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS

 7.1. Size:939K  belling
blm4953.pdf pdf_icon

BLM4953A

Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D 1 D 2 The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) G 1 G 2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID

Otros transistores... BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A , BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , BLM4435 , BLM4953 , IRF640N , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , BLM9926 , 20N15 .

History: WM02DN095C | WMK20N50D1 | IRF3415PBF | WM03N32M | IRF3546M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.