BLM8205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 19.5 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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BLM8205 datasheet
blm8205a.pdf
Pb Free Product BLM8205A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The BLM8205A uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = 19.
blm8205e-j blm8205e-g.pdf
BLM8205E Power MOSFET 1. Description Advantages The BLM8205E uses advanced trench technology to provide excellent R ,low gate DS(ON) charge and operation with gate voltages as low as 0.7V.This device is suitable for use as a Battery protection or other switching application. Key Characteristics Parameter Value Unit SOT23-6 Schematic diagram V 19.5 V DS I 6 A D R 18 m
Otros transistores... BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , BLM4435 , BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , IRFB4227 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , BLM9926 , 20N15 , 25N40A , 2SJ126 , 2SK1105 .
History: WMK120N04TS
History: WMK120N04TS
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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