BLM9435 Todos los transistores

 

BLM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLM9435 Datasheet (PDF)

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BLM9435

BLM9435 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM9435 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -30 V DSI -5.1 A DR .TYP 48 m DS(ON)@-10V R .TYP 70 m DS(ON)@-4.5V FEATURES High power and current handi

 0.1. Size:273K  belling
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BLM9435

Pb Free Product BLM9435A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION DThe BLM9435A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Gvoltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS DR

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C | 2SK2740 | MPSP65M390 | 2SK3418

 

 
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