2SJ126 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ126
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO-220C
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2SJ126 datasheet
2sj126.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ126 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resistance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
2sj128-z.pdf
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History: IPW60R060P7
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Liste
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