SFU9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFU9110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 9 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFU9110
SFU9110 Datasheet (PDF)
sfu9110 sfr9110.pdf
SFR/U9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -2.8 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
sfu9130 sfr9130.pdf
SFR/U9130Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.225 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum
sfr9120 sfu9120.pdf
SFR/U9120Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -4.9 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100Vn Lower RDS(ON) : 0.444 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
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