TK5A90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK5A90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de TK5A90E MOSFET
TK5A90E Datasheet (PDF)
tk5a90e.pdf
TK5A90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK5A90ETK5A90ETK5A90ETK5A90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 2.5 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode : Vth = 2.
tk5a90e.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5A90EITK5A90EFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3.1.Enhancement mode:Vth = 2.5 to4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... TK3R1A04PL , TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , 2SK3878 , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M .
History: BLV2N60 | SI1077X | SI1056X | 7N65AF
History: BLV2N60 | SI1077X | SI1056X | 7N65AF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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