HY3810M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3810M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 346 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 185 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1013 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY3810M
HY3810M Datasheet (PDF)
hy3810p hy3810m hy3810b hy3810ps hy3810pm.pdf
HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
hy3810.pdf
HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
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