Справочник MOSFET. HY3810M

 

HY3810M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3810M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 346 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 185 nC
   Время нарастания (tr): 45 ns
   Выходная емкость (Cd): 1013 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HY3810M

 

 

HY3810M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  hymexa
hy3810p hy3810m hy3810b hy3810ps hy3810pm.pdf

HY3810M HY3810M

HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

 8.1. Size:971K  hymexa
hy3810.pdf

HY3810M HY3810M

HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top