Справочник MOSFET. HY3810M

 

HY3810M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3810M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 346 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HY3810M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3810M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  hymexa
 hy3810p hy3810m hy3810b hy3810ps hy3810pm.pdf pdf_icon

HY3810M

HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

 8.1. Size:971K  hymexa
 hy3810.pdf pdf_icon

HY3810M

HY3810P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/180ARDS(ON)= 5.0 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsA TO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application

Другие MOSFET... TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , 8205A , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM , HY3906P , HY3906B , HYG067N07NQ1P , HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS .

History: AUIRF1404L | CS3N80ARH | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | NDF08N60ZG | VN1206N1 | FTA04N60B

 

 
Back to Top

 


 
.